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12일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 차오칸위 창신메모리 최고경영자(CEO)는 지난 10일 상하이 콘퍼런스에서 올해 말까지 4F² 기술을 적용한 새로운 서버용 D램 제품을 출시할 계획이라며 이 기술과 관련해 “핵심적인 진전”을 이뤘다고 말했다.그러면서 이 제품은 기업용 서버를 위해 설계한 차세대 D램이라고 덧붙였다.
차오 CEO는 그러나 구체적인 제품 사양이나 출시 시점은 공개하지 않았다.4F²는 상업용 D램에 적용되는 6F²보다 메모리 셀(데이터 저장 최소 단위) 면적을 줄이되 트랜지스터를 수직으로 배치해 집적도를 높이는 설계 기술이다.데이터 1비트를 저장하는 셀 하나의 면적을 기존보다 약 33% 줄이는 기술이다.
F는 반도체 공정에서 구현할 수 있는 최소 선폭을 뜻한다.기존 수평형 트랜지스터의 채널을 수직 방향으로 배치해 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.누설 전류를 줄이고 전력 효율을 높이는 것이다.메모리 공정 초미세화로 인해 기존 방식대로는 성능을 개선하는 것이 한계에 봉착한 상황에서 셀 구조 자체를 바꿔 메모리 집적도를 높이는 것이다.
삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 글로벌 메모리 3사도 4F²를 포함해 차세대 기술 개발에 총력을 기울여왔다.이번 발표는 창신메모리가 모바일·PC 등에 쓰이는 제품군에 주력하던 데서 한 발 나아가 글로벌 메모리 3사가 주도하는 서버용 D램 등 고부가가치 영역과 차세대 기술 경쟁에서도 추격 고삐를 당기겠다는 의지를 드러낸 것으로 읽힌다.
SCMP는 "SK하이닉스가 지난해 4F² 기술 로드맵을 공개했고,엔포커 쿠폰삼성전자는 2028년까지 새 기술을 적용한 10㎚(나노미터·10억분의 1m) 이하 D램을 양산하겠다고 밝혔다“고 전했다.
다만 창신메모리가 연내 실제 양산에 들어갈 수 있을지는 불투명하다.창신메모리는 4F²에 맞춰 주요 제조 공정을 재설계했다고 밝혔지만 구체적인 제품 사양과 출시일,양산 규모를 공개하지 않았다.캐나다 반도체 분석업체 테크인사이츠는 4F² D램을 차세대 메모리 기술의 주요 전환점으로 평가하면서도 “향후 경쟁의 핵심은 단순히 누가 먼저 미세화하느냐가 아니라 새로운 구조를 얼마나 높은 수율과 신뢰성으로 구현하고 검증할 수 있느냐에 달려 있다”고 지적했다.
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